lustas

2019-12-14 13:00:00

Ryžio grūdo lustas pasaką paverčia realybe

Skaitmeninėms technologijoms smalsūs švedai ryžtasi radikaliam žingsniui: į jų kūną implantuojami lustai. Mikroschemos atstoja vizitines korteles, raktus, įvairius leidimus, pažymėjimus ir yra nepavojingos, įsitikinę keli tūkstančiai Švedijos gyventojų.

Skaityti daugiau

Iki 2013 metų „Samsung“ sieks tapti viena iš ekologiškiausių įmonių pasaulyje.

2013-07-21 18:00:00

„Samsung“ ruošia naują lusto versiją: nepastebėjo jokio skirtumo tarp esamo „Exynos 5 Octa” ir „Snapdragon 600”

Daugelis žino, jog „Samsung“ jau kuris laikas turi aštuonių branduolių „Exynos 5 Octa” lustą. Na, jis iš esmės yra keturių branduolių, nes keturi branduoliai skirti paprastoms užduotims taupant baterijos syvus, o kiti keturi - spartai. Visgi šios savybės tiesiog neužtenka. Kad „Octa“ magija kol kas neveikia, rodo ir „Samsung Galaxy S IV“ išmanieji telefonai, kuriuose dažniausiai sukasi ne pačių „Samsung“ procesorius, o „Qualcomm“ siūlomas „Snapdragon 600”. Pietų Korėjos kompanija nebūtų elektronikos gigantas, jei nenorėtų visko savo. Per ofic

Skaityti daugiau

2013-07-19 17:09:00

„Micron“ jau bando 16 nm procesu pagamintus „flash“ lustus

„Flash“ lustų gamybos industrija, kuri siekia pagerinti naudojamą technologinį procesą, pasiekė naują gairę. Vienas iš pirmaujančių „flash“ lustų gamintojų, kompanija „Micron“ oficialiai pranešė, jog pradėjo bandyti pirmuosius pasaulyje 16 GB talpos MLC lustus pagal 16 nm procesą. Naudojamas 16nm technologinis procesas, gaminant 128 Gb talpos lustus, yra mažesnis, nei dabar naudojamas 20 nm procesas. „Micron“ planuose tokius 128 Gb lustus pradėti gaminti visu pajėgumu yra jau kitame ketvirtyje, tačiau produktų su jais galime sulaukti tik kitais metais. Kai

Skaityti daugiau

2011-08-30 15:51:06

„Micron“ ketina pristatyti 20 kartų spartesnę operatyviąją atmintį

Puslaidininkų gamintojas "Micron", pritaikydamas šioje kompanijoje sukurtą "Hybrid Memory Cube" (HMC) technologiją, ketina pristatyti net 20 kartų spartesnę DRAM atmintį, lyginant su sparčiausiais šiandieniniais DDR3 RAM atminties moduliais. Naujieji net 128 GB duomenų per sekundę gebantys praleisti HMC moduliai jau buvo oficialiai pademonstruoti praeitą savaitę. Ši sparta net 10 kartų viršija dabartinių DDR3 1600 tipo atminties modulių pralaidumą. Pasak "Micron", jie gebės pasiūlyti ir 256GB/s informacijos mainų spartą pasiekiančių HMC modulių. Elektros sąnaudos pad

Skaityti daugiau

2011-08-01 19:20:32

DDR3 darbinė atmintis pinga neįtikėtinais greičiais

Leidinys DigiTimes, kuris remiasi industrijos šaltiniais, praneša, jog darbinės atminties kainos kris ir toliau. Dėl ne tokios paklausos, kokios tikėtasi, gamintojai mažina kainas, o Kingston neva netrukus pasiūlys 2GB DDR3 modulį įsigyti vos už 11 dolerių. Nepaisant to, jog Kingston šiuo metu neigia, jog pradėjo taikyti tokią kainų politiką, labai tikėtina, kad DDR3 atminties modulių kainos kris jau šios vasaros pabaigoje. O jei Kingston iš tiesų siūlys 2GB DDR3 modulius taip pigiai, konkurentams neliks nieko kito, kaip daryti tą patį. Šiuo metu pigiausiai Kingsto

Skaityti daugiau

2011-04-20 15:23:32

4 Gb talpos operatyvioji atmintis – pakeliui į išmaniuosius telefonus

Japonijos puslaidininkių bei atminties lustų gamyba užsiimanti bendrovė „Elpida Memory“ prieš kelias savaitės informavo, kad pagamino 4 gigabitų talpos operatyviosios atminties lustus, skirtus išmaniesiems telefonams, praneša naujienų agentūra „Reuters“. Iki šiol tokio dydžio atmintines gamino tik Pietų Korėjos milžinė „Samsung Electronics“. Lustai bus gaminami naudojant pažangų 30 nm technologinį procesą ir pasižymės maksimalia 1066 Mbps duomenų perdavimo pralaida, kuri bus pasiekiama prie 1,2 V įtampos. Anot gamintojo, DDR2 tipo lustai pasižymės itin ef

Skaityti daugiau

2008-12-15 18:58:24

„Intel“ baigė naujo gamybos proceso tobulinimą

Procesorių gamintoja „Intel“ baigė pasiruošimus 32 nanometrų lustų gamybai - 2009 metų pabaigoje rengiasi pristatyti dar mažiau energijos vartosiančius bei daugiau galios turėsiančius procesorius. Bendrovės sukurtas 32 nanometrų gamybos procesas leis pasiekti didžiausią spartą ir tranzitorių tankį rinkoje. 32 nanometrų (1 nanometras – viena milijardinė metro dalis) procesą „Intel“ rengiasi pristatyti San Franciske vyksiančiame Tarptautiniame elektroninių įrenginių gamintojų susitikime („International Electron Devices Meeting“). Susitikimo metu „Intel“

Skaityti daugiau