Puslaidininkų gamintojas "Micron", pritaikydamas šioje kompanijoje sukurtą "Hybrid Memory Cube" (HMC) technologiją, ketina pristatyti net 20 kartų spartesnę DRAM atmintį, lyginant su sparčiausiais šiandieniniais DDR3 RAM atminties moduliais.

Naujieji net 128 GB duomenų per sekundę gebantys praleisti HMC moduliai jau buvo oficialiai pademonstruoti praeitą savaitę. Ši sparta net 10 kartų viršija dabartinių DDR3 1600 tipo atminties modulių pralaidumą. Pasak "Micron", jie gebės pasiūlyti ir 256GB/s informacijos mainų spartą pasiekiančių HMC modulių. Elektros sąnaudos padidės vos 10 proc., lyginant su šiuolaikine DDR3 atmintimi.



Tokios neįprastai didelės spartos paslaptis slypi daugiasluoksnėse atminties mikroschemose, kurių atskiri sluoksniai duomenimis keisis naudojant TSV (Through-Silicon Via) signalus. "Hybrid Memory Cube" sistema bus ir kur kas kompaktiškesnė. Lyginant su dabartiniais RDIMM moduliais, HMC užims iki 90 proc. mažiau vietos. Kol kas "Micron" nekomentuoja, kada tokio tipo atmintis gali pasirodyti prekyboje.