„Samsung“ pristato naują 30 nm 8 Gb atmintinę „OneNAND“

„Samsung Electronics“ pristato 8 gigabitų atmintinę „OneNAND“, kurioje įdiegta pažangi ir funkcionali 30 nanometrų informacijos apdorojimo technologija.

Pritaikius vieno lygio ląstelės NAND atmintinės korpusą, naujas didelės talpos „OneNAND“ užtikrina galimybę patikimiau saugoti duomenis išmaniuosiuose telefonuose.

„Samsung Electronics Co., Ltd.“ pristato 8 gigabitų (Gb) atmintinę „OneNAND™“, kurioje įdiegta pažangi ir funkcionali 30 nanometrų (nm) informacijos apdorojimo technologija. Pritaikius vieno lygio ląstelės (ang., „single-level-cell“ - SLC) NAND atmintinės korpusą, naujas didelės talpos „OneNAND“ užtikrina galimybę patikimiau saugoti duomenis išmaniuosiuose telefonuose. Šiuo metu didelės talpos atmintinė „OneNAND“ diegiama daugelyje produktų, kurie bus išleisti iki mėnesio pabaigos.

„Džiaugiamės matydami, kad mūsų pažangusis 30 nm NAND modelis plačiai pritaikomas sumaniuosiuose telefonuose. 8 Gb atmintinė „OneNAND“ puikiai papildys mūsų gausų pažangių mobiliųjų atmintinių rinkinį,“ - sakė Sejin Kim, „Samsung Electronics“ atmintinių planavimo ir diegimo padalinio viceprezidentas. „Naujasis „OneNAND“ ne tik padidins sumaniųjų telefonų talpą, bet ir leis įdiegti papildomas funkcijas, kurios reikalingos vartotojams. Tai praplečia „OneNAND“ atmintinių rinkos ribas.“

8 Gb atmintinė „OneNAND“ turi patobulintas funkcijas ir patikimą SLC korpusą. „OneNAND“ atmintinė duomenis atkuria 70 MB/s greičiu, t.y. 4 kartus greičiau nei įprastos NAND atmintinės (17 MB/s). Ši atmintinė gali saugoti didelį kiekį duomenų, naudojamų sumaniuosiuose telefonuose su jutikliniais ekranais ir kitomis didelės raiškos savybėmis. Be to, įdiegus 30 nm technologiją, „Samsung“ padidino įrenginio efektyvumą 40 procentų, palyginus su ankstesniąja 40 nm.

Nuo 2004 m. „Samsung“ vis plačiau diegė „OneNAND“ atmintines, kurios buvo pripažintos kaip ypač funkcionalios, nes gali būti naudojamos mobiliuosiuose telefonuose neplėtojant atskiros programinės įrangos.

Atmintinė „OneNAND“ informaciją įrašo greičiau nei NAND tipo atmintinės, todėl puikiai veikia kaip apsauginis atminties buferis, galintis dideliu greičiu „atkurti“ informaciją dėl įdiegtos „NOR flash“ tipo sąsajos.

Remiantis rinkos tyrimų bendrovės „iSuppli“ prognozėmis, pasaulinė paklausa integruojamoms NAND atmintinėms mobiliuosiuose telefonuose 2010 m. pasieks 1,1 milijardo vienetų (skaičiuojant pagal 1 GB ekvivalentą), o 2011 m. padidės daugiau nei dvigubai iki 2,5 milijardo 1 GB vienetų.

Kompanija „Strategic Analysis“ prognozuoja, kad 2010 m. sumaniųjų telefonų paklausa sieks 285 mln. vienetų, o 2013 m. išaugs iki 580 mln.