IBM sukūrė naujos kartos tranzistorių iš grafeno

IBM mokslininkai sukūrė itin spartų tranzistorių, kuriame vietoje silicio, iš kurio gaminami įvairūs elektronikos komponentai, naudojamas grafenas.

Grafenas yra dvimatė vieno atominio sluoksnio grafito forma. Didelio susidomėjimo ši medžiaga sulaukė po to, kai IBM mokslininkai ištyrė jo unikalią savybę - dvi grafeno plokštės gali būti mažinamos iki vos kelių atomų storio ir nesubyrėti. Pagrindinis grafeno pranašumas - labai didelis elektronų greitis, per šią medžiagą elektronai gali judėti 100 kartų sparčiau negu  silicyje. Ši grafeno savybė leido sukurti kur kas didesne sparta galintį dirbti tranzistorių.

Pirmasis grafeno tranzistorius buvo kuriamas IBM T.J.Waston tyrimų centre. Mokslininkų teigimu, naujų medžiagų naudojimas ir tranzistorių sumažinimas yra pagrindinė kryptis kuriant naujos kartos kompiuterių procesorius.

Taip pat pirmą kartą buvo nustatyta ir grafeno elektronų greičio priklausomybė nuo įrenginio dydžio. Pastebėta, kad mažėjant įrenginio matmenims, didėja veikimo dažnis. Mokslininkams pavyko pasiekti 26 GHz dažnį 150nanometrų dydžio tranzistoriuje. Paprastai tranzistoriaus veikimo greitis yra skaičiuojamas atsižvelgianti į jo dydį ir elektronų judėjimo greitį.

Artimiausiu metu tyrėjai žada dar padidinti grafeno tranzistoriaus galią panaudoję dielektrines medžiagas.


Šiame straipsnyje: tranzistoriusIBM

NAUJAUSI KOMENTARAI

  • Skelbimai
  • Pranešk
    naujieną
  • Portalo
    svečias
  • Klausk
    specialisto
  • Diskusijos
  • Orai
  • TV
    programa
  • Pažintys
  • Žaidimai
  • Horoskopai
  • Naujienlaiskis
  • RSS
  • Facebook
  • Twitter

Galerijos

Daugiau straipsnių